인덕턴스는 도체가 이를 통해 흐르는 전류의 변화에 반대하는 현상입니다. 이는 유도된 전압과 이를 생성하는 전류의 변화율의 비율로 정의됩니다. 인덕턴스의 차원 공식은 ML²T⁻²I⁻²이고 SI 단위는 헨리(H)입니다. 1H의 인덕턴스는 초당 1암페어의 속도로 변화하는 전류가 1볼트의 전압을 유도한다는 것을 의미합니다.
인덕턴스의 기본 특성은 변화하는 자기장에 의한 전기장 생성에 관한 Maxwell의 방정식으로 설명되는 관계에 있습니다. 도체의 전류가 변하면 관련 자기장도 변합니다. 패러데이의 전자기 유도 법칙과 렌츠의 법칙에 따라 이는 전류 변화에 반대되는 기전력(EMF)을 생성합니다. 무선 충전은 에너지를 전달하기 위해 근거리{2}}유도-구체적으로 유도 결합-을 활용합니다.
"인덕턴스"라는 용어는 1884년 5월 올리버 헤비사이드(Oliver Heaviside)에 의해 만들어졌습니다. 우리나라의 1차 인덕턴스 표준 장치는 1971년에 개발을 시작하여 1975년에 완성되고 1979년에 인증을 받았으며 1990년에 CCEM{4}}K3 국제 비교에 참가했습니다. Sunlord Electronics는 높은 인덕턴스와 고품질 요소를 결합할 수 있는 유도 부품에 대해 2025년에 특허를 출원했습니다.
